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单 晶 硅 片
单 晶 技 术
硅 片 切 割
   
 
 

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单晶技术：
通过使用先进的电控系统以及多次填料技术，我们使每台硅晶炉的产率达到最大化。
1、晶威不断地增加其单晶硅生长炉数量，在富于经验的技术团队的带领下，我们的设备进行24小时不间断地工作，已超过 500kg/月每单晶炉的最大产能
2、我们还将继续扩大单晶硅的生产规模，使之月产量达到600kg/单晶炉。
3、2008年，晶威添置多晶硅浇铸

125单晶硅片技术指标

　　单晶制备方法

CZ

　　导电类型

P

　　掺杂剂

Boron(B)

　　晶向

<100>

　　晶向偏离度

<±3°

　　电阻率范围（ρ）

0.5-3Ω·cm或3-6Ω·cm

　少数截流子寿命(τd)

>10μS

　　氧含量(Oi)

≤1.0*1018/cm3

　　碳含量(C)

≤5.0*1018/cm3

　　位错密度（Nd）

≤3000/cm2

　　硅片尺寸

125*125±0.5mm

　　硅片直径

150mm±0.5

　　厚度

200±20μm

　　总厚度变化

<50μm
　　 　　　　　　　　　
 
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