单晶制备方法

CZ

　　导电类型

P

　　掺杂剂

Boron(B)

　　晶向

<100>

　　晶向偏离度

<±3°

　　电阻率范围（ρ）

0.5-3Ω·cm或3-6Ω·cm

　　少数截流子寿命(τd)

>10μS

　　氧含量(Oi)

≤1.0*1018/cm3

　　碳含量(C)

≤5.0*1018/cm3

　　位错密度(Nd)

≤3000/cm2

　　外观

无裂纹，无硬伤

　　直径

6″,8″